硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 乔永红,王绍青 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2005-10-12 |
| 期号 | 10页码:4827-4835 |
| 关键词 | 分子动力学 空位与间隙原子 扩散 |
| 中文摘要 | 采用分子动力学方法模拟研究了硅晶体中的空位和间隙原子的结合过程.研究中采用了Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用,系统分别在低温300K和高温1400K进行弛豫.计算中发现空位和间隙原子倾向于通过<111>方向结合,而<110>方向上存在着势垒.通过势垒值的计算,对Tang和Zawadzki势垒计算值的差异进行了解释. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25252]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔永红,王绍青. 硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究[J]. 物理学报,2005(10):4827-4835. |
| APA | 乔永红,王绍青.(2005).硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究.物理学报(10),4827-4835. |
| MLA | 乔永红,王绍青."硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究".物理学报 .10(2005):4827-4835. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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