CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧 |
| 刊名 | 兵器材料科学与工程
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| 出版日期 | 2005-09-25 |
| 期号 | 5页码:19-22 |
| 关键词 | 纳米材料 CuCr触头材料 截流值 饱和蒸汽压 |
| 中文摘要 | 研究了纳米晶CuCr25和CuCr50触头材料在峰值电流为10A时,真空电弧的截流值、稳定性及其寿命。结果表明,纳米晶CuCr合金的真空电弧稳定性要高于其常规合金,纳米晶CuCr合金截流值远小于常规合金的截流值。从理论分析可得出,纳米晶CuCr合金的蒸汽压为其常规合金蒸汽压的10倍多。由于蒸汽压与电弧放电特性密切相关,所以CuCr触头材料纳米晶化可以有效地增加电弧稳定性和降低材料的截流值。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25270]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧. CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响[J]. 兵器材料科学与工程,2005(5):19-22. |
| APA | 冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧.(2005).CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响.兵器材料科学与工程(5),19-22. |
| MLA | 冯宇,张程煜,杨志懋,王亚平,丁秉钧."CuCr触头材料纳米晶化对真空放电性能的影响".兵器材料科学与工程 .5(2005):19-22. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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