总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2005-01-30 |
| 期号 | 1页码:69-72 |
| 关键词 | 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 总气压 反射率 |
| 中文摘要 | 用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定电源功率、氩气流量 4 2 .6sccm、氧流量 15sccm、溅射时间 30min的条件下 ,通过控制总气压改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer12 0 0测量 ,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低 ,同时反射低谷向短波方向移动 ,总气压对消光系数k影响不大 ;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势 ,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现 ,随着总气压的增加TiO2 的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变 ,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25487]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时. 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2005(1):69-72. |
| APA | 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时.(2005).总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响.真空科学与技术学报(1),69-72. |
| MLA | 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,闻立时."总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响".真空科学与技术学报 .1(2005):69-72. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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