靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时 |
| 刊名 | 真空
 |
| 出版日期 | 2005-01-25 |
| 期号 | 1页码:11-14 |
| 关键词 | 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率 |
| 中文摘要 | 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25490]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响[J]. 真空,2005(1):11-14. |
| APA | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时.(2005).靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响.真空(1),11-14. |
| MLA | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时."靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响".真空 .1(2005):11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。