ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2005-01-11 |
| 期号 | 1页码:84-88 |
| 关键词 | 直流反应磁控溅射 ZAO薄膜 生长机制 光电特性 |
| 中文摘要 | 采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Ω?cm和80％以上. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25500]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时. ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究[J]. 金属学报,2005(1):84-88. |
| APA | 裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时.(2005).ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究.金属学报(1),84-88. |
| MLA | 裴志亮,张小波,王铁钢,宫骏,孙超,闻立时."ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究".金属学报 .1(2005):84-88. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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