压痕诱发GaAs单晶中的位错组态
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李井润,李志成,徐永波 |
| 刊名 | 中山大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2004-03-25 |
| 期号 | 2页码:43-45 |
| 关键词 | GaAs 压痕 位错 电子显微镜 |
| 中文摘要 | 利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究。结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构。这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成。它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25802]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李井润,李志成,徐永波. 压痕诱发GaAs单晶中的位错组态[J]. 中山大学学报(自然科学版),2004(2):43-45. |
| APA | 李井润,李志成,徐永波.(2004).压痕诱发GaAs单晶中的位错组态.中山大学学报(自然科学版)(2),43-45. |
| MLA | 李井润,李志成,徐永波."压痕诱发GaAs单晶中的位错组态".中山大学学报(自然科学版) .2(2004):43-45. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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