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沿晶界疲劳开裂机理(英文)

文献类型:期刊论文

作者张哲峰,王中光,师昌绪
刊名中国科学院研究生院学报
出版日期2004-03-15
期号2页码:270-275
关键词晶界 疲劳裂纹 驻留滑移带 位错塞积
中文摘要采用扫描电镜电子通道衬度 (SEM ECC)技术 ,系统地研究了铜晶体中各种不同晶界的疲劳开裂行为 .直接的观察证据表明 :各种随机大角度晶界的疲劳开裂归因于驻留滑移带对晶界的撞击作用及随后的位错塞积 ;而当驻留滑移带能够连续穿过小角度晶界时 ,则不产生位错塞积和萌生沿晶界疲劳裂纹 .沿晶界疲劳开裂与否与驻留滑移带和晶界的交互作用方式密切相关 ,而与晶界结构本身无关 .
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25810]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张哲峰,王中光,师昌绪. 沿晶界疲劳开裂机理(英文)[J]. 中国科学院研究生院学报,2004(2):270-275.
APA 张哲峰,王中光,师昌绪.(2004).沿晶界疲劳开裂机理(英文).中国科学院研究生院学报(2),270-275.
MLA 张哲峰,王中光,师昌绪."沿晶界疲劳开裂机理(英文)".中国科学院研究生院学报 .2(2004):270-275.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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