光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭晓,王福会,D.R.Clarke |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2003-10-11 |
| 期号 | 10页码:1060-1064 |
| 关键词 | 光激发荧光谱术 Al2O3 残余应力 磁控溅射Co-Cr-Al(Y) 纳米涂层 |
| 中文摘要 | 用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co—Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果: (1)残余应力随氧化温度升高而增大; (2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25973]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭晓,王福会,D.R.Clarke. 光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析[J]. 金属学报,2003(10):1060-1064. |
| APA | 彭晓,王福会,D.R.Clarke.(2003).光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析.金属学报(10),1060-1064. |
| MLA | 彭晓,王福会,D.R.Clarke."光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析".金属学报 .10(2003):1060-1064. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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