中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构

文献类型:期刊论文

作者李井润,李志成,刘路,徐永波
刊名材料研究学报
出版日期2003-08-25
期号4页码:359-364
关键词无机非金属材料 砷化镓单晶 压痕 塑性变形 层错 电子显微镜
中文摘要用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。结果表明,在压痕周围除了产生玫瑰型分布的位错组态和二次对称的孪晶结构外,还形成了层错。层错有两种类型:一种由两个具有不同Burgers矢量的不全位错组成,另一种则由具有相同Burgers矢量的不全位错组成。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26019]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李井润,李志成,刘路,徐永波. 压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构[J]. 材料研究学报,2003(4):359-364.
APA 李井润,李志成,刘路,徐永波.(2003).压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构.材料研究学报(4),359-364.
MLA 李井润,李志成,刘路,徐永波."压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构".材料研究学报 .4(2003):359-364.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。