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边界条件对离散位错动力学模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响

文献类型:期刊论文

作者杨继红,李守新,柯伟
刊名金属学报
出版日期2003-07-11
期号7页码:704-710
关键词离散位错动力学 边界条件 位错花样 Cu单晶
中文摘要利用二维离散位错动力学方法,研究了边界条件对计算机模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响,结果表明:边界条件在模拟位错花样这类多体问题时是非常重要的;在其它模拟机制均完全相同的情况下,不同边界条件会形成不同的模拟结果,自由空间边界条件是最简单、也是最不现实的边界条件,模拟结果与实验结果相差甚远;而一维最近邻周期性边界条件与二维近邻周期性边界条件的模拟结果基本相同,与Cu单晶早期疲劳位错花样的实验比较吻合。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26059]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨继红,李守新,柯伟. 边界条件对离散位错动力学模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响[J]. 金属学报,2003(7):704-710.
APA 杨继红,李守新,柯伟.(2003).边界条件对离散位错动力学模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响.金属学报(7),704-710.
MLA 杨继红,李守新,柯伟."边界条件对离散位错动力学模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响".金属学报 .7(2003):704-710.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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