偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 2003-05-11 |
| 期号 | 5页码:510-515 |
| 关键词 | 偏压 电弧离子镀 Tin薄膜 表面形貌 |
| 中文摘要 | 在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26106]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时. 偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理[J]. 金属学报,2003(5):510-515. |
| APA | 黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时.(2003).偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理.金属学报(5),510-515. |
| MLA | 黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时."偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理".金属学报 .5(2003):510-515. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。