合金化对非晶形成能力影响的电子理论计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张国英,胡壮麒,张海峰 |
| 刊名 | 中国有色金属学报
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| 出版日期 | 2003-02-20 |
| 期号 | 1页码:106-110 |
| 关键词 | 非晶结构模型 Recursion方法 电子理论 非晶形成能力 |
| 中文摘要 | 根据分子动力学理论建立了非晶Ni64Pd16Al2 0 的结构模型 ,利用Recursion方法计算了Ni64X16Al2 0 系非晶及相应晶态的电子结构。结果表明 ,Ni64X16Al2 0 合金的非晶形成能力与过渡元素局域电子态密度的双峰位置、电子得失形成的离子键及非晶与晶态合金的总结构能差有关。局域电子态密度的结果表明 ,Al与过渡元素间存在电子耦合—共价相互作用 ,合金元素使Ni64X16Al2 合金非晶形成能力从强到弱的顺序是 :Ir,Pt,Rh ,Pd ,Au ,Ag ,Cu ;Ni64X16Al2 0 合金中离子键的存在使其非晶形成能力增强。非晶与晶态合金的总结构能差越小的过渡元素使其形成非晶的驱动力越强 ,对非晶形成越有利 ,由此得出的规律与上述共价键的作用规律一致。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26224]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张国英,胡壮麒,张海峰. 合金化对非晶形成能力影响的电子理论计算[J]. 中国有色金属学报,2003(1):106-110. |
| APA | 张国英,胡壮麒,张海峰.(2003).合金化对非晶形成能力影响的电子理论计算.中国有色金属学报(1),106-110. |
| MLA | 张国英,胡壮麒,张海峰."合金化对非晶形成能力影响的电子理论计算".中国有色金属学报 .1(2003):106-110. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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