ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时 |
| 刊名 | 东北大学学报
 |
| 出版日期 | 2003-01-30 |
| 期号 | 1页码:54-57 |
| 关键词 | ZAO薄膜 Al质量分数 EDS XRD 电阻率 透射率 |
| 中文摘要 | 主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系?得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大?制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω?cm,可见光透射率达到80%以上? |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26241]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时. ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响[J]. 东北大学学报,2003(1):54-57. |
| APA | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时.(2003).ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响.东北大学学报(1),54-57. |
| MLA | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时."ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响".东北大学学报 .1(2003):54-57. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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