电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李志成,刘路,贺连龙,徐永波 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2003-01-11 |
| 期号 | 1页码:13-16 |
| 关键词 | 非晶GaAs 电子束辐照 结晶 原位观察 |
| 中文摘要 | 利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察.结果表明,具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生,并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大;大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向,其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系.电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关;电子束辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料温度升高的结果,而与电子能量有关.本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26252]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志成,刘路,贺连龙,徐永波. 电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大[J]. 金属学报,2003(1):13-16. |
| APA | 李志成,刘路,贺连龙,徐永波.(2003).电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大.金属学报(1),13-16. |
| MLA | 李志成,刘路,贺连龙,徐永波."电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大".金属学报 .1(2003):13-16. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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