直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2002-07-15 |
| 期号 | 3页码:23-26 |
| 关键词 | ZAO 电阻率 透射率 |
| 中文摘要 | 本文对直流磁控反应溅射制备 ZAO薄膜的工艺作了具体分析 ,探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对 ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26472]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时. 直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究[J]. 真空,2002(3):23-26. |
| APA | 陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时.(2002).直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究.真空(3),23-26. |
| MLA | 陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时."直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究".真空 .3(2002):23-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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