浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金头男,聂祚仁,李斗星 |
| 刊名 | 中国有色金属学报
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| 出版日期 | 2002-04-30 |
| 期号 | 2页码:284-289 |
| 关键词 | 镁基复合材料 SiC晶须 B4C颗粒 界面结构 |
| 中文摘要 | 用透射电子显微术研究了 (SiCw+B4Cp) /Mg(AZ91)复合材料的界面特征。结果表明 :B4Cp/Mg界面区反应生成物混乱 ,而在SiCw/Mg界面区较为规则。SiCw/Mg界面生成了两种反应物 ,其中MgO与SiC具有 180 旋转孪晶关系 ,孪晶面为 { 111} SiC ,MgO,而MgB2 一般以SiC表面一薄层MgO为基底生长成较大且完整的晶形 ,MgB2 与MgO之间的晶体学取向关系为 :(1—11) MgO∥ (0 0 0 1—) MgB2 ,[110 ]MgO∥ [112 —0 ]MgB2 。高分辨观察结合计算机模拟确定了MgO/MgB2 界面有两种原子占位方式 ,一种为界面处有两层Mg原子分别属于两相 ,另一种为界面处只有一层Mg原子为两相共享。此外 ,基体中第二相Mg17(Al,Zn) 12 和未知弥散小颗粒均与基体Mg非共格 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26538]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金头男,聂祚仁,李斗星. 浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征[J]. 中国有色金属学报,2002(2):284-289. |
| APA | 金头男,聂祚仁,李斗星.(2002).浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征.中国有色金属学报(2),284-289. |
| MLA | 金头男,聂祚仁,李斗星."浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征".中国有色金属学报 .2(2002):284-289. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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