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电脉冲处理下疲劳铜单晶的再结晶

文献类型:期刊论文

作者肖素红,郭敬东,吴世丁,何冠虎,李守新
刊名金属学报
出版日期2002-02-28
期号2页码:161-165
关键词铜单晶 疲劳 再结晶 脉冲电流
中文摘要对疲劳后的[123]铜单晶体进行高电流密度脉冲处理可以形成多边形与椭同形两种再结晶晶粒、晶粒尺寸分别为7.2-8.8μm和5.3-8.0μm.高电流密度脉冲处理造成的位错湮没会增大局部位错分布不均匀区域的位错密度梯度.从而形成再结晶的晶核. 由于脉络结构分布均匀,在这一区域形成的再结晶晶粒没有明显的方向性.而在驻留滑移带处形成的再结晶晶粒,由于位错的运动在平行于 Burgers矢量的方向容易进行,因此形成的再结晶品粒的尺寸沿这一方向要大一些, 在驻留滑移带处由脉冲电流处理引起的局部温升. 增加了位错运动的可能性,导致再结晶晶粒之间间隔一定距离 ,由于电脉冲作用时间很短,晶粒没有足够的时间长大,从血形成晶粒尺寸较小的再结晶晶粒.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26630]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
肖素红,郭敬东,吴世丁,何冠虎,李守新. 电脉冲处理下疲劳铜单晶的再结晶[J]. 金属学报,2002(2):161-165.
APA 肖素红,郭敬东,吴世丁,何冠虎,李守新.(2002).电脉冲处理下疲劳铜单晶的再结晶.金属学报(2),161-165.
MLA 肖素红,郭敬东,吴世丁,何冠虎,李守新."电脉冲处理下疲劳铜单晶的再结晶".金属学报 .2(2002):161-165.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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