疲劳Cu单晶驻留滑移带演化的观察及其应力场的计算模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨继红,李守新,韩恩厚,柯伟,朱自勇,李勇,蔡正 |
| 刊名 | 自然科学进展
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| 出版日期 | 2002-01-25 |
| 期号 | 1页码:81-86 |
| 关键词 | 疲劳Cu单晶 驻留滑移带的演化 应力场 观察与模拟 |
| 中文摘要 | 利用扫描电镜电子通道衬度技术,对单滑移取向下,疲劳过程中Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察.观察表明,PSBs的形成可以分为4个阶段,即脉络、通路、萌芽、真正形成完整的PSB位错结构.对以上4个阶段中典型位错结构的演化进行了模拟,并利用三维离散位错静力学方法给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布,相应地,利用有限元方法计算了外应力场的分布.结果表明:在从基体脉络位错结构到PS-Bs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的.在通路和萌芽的尖端平均内应力没有太大的变化,而此处的平均外应力却比其他区域高,外应力提供了通路和萌芽长大的驱动力.在PSBs与基体边界处,内应力和外应力的值都急剧变化,因此存在切应变的不连续,积累到一定程度就会出现裂纹. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26676]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨继红,李守新,韩恩厚,柯伟,朱自勇,李勇,蔡正. 疲劳Cu单晶驻留滑移带演化的观察及其应力场的计算模拟[J]. 自然科学进展,2002(1):81-86. |
| APA | 杨继红,李守新,韩恩厚,柯伟,朱自勇,李勇,蔡正.(2002).疲劳Cu单晶驻留滑移带演化的观察及其应力场的计算模拟.自然科学进展(1),81-86. |
| MLA | 杨继红,李守新,韩恩厚,柯伟,朱自勇,李勇,蔡正."疲劳Cu单晶驻留滑移带演化的观察及其应力场的计算模拟".自然科学进展 .1(2002):81-86. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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