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气相沉积生长单壁纳米碳管束

文献类型:期刊论文

作者李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明
刊名材料研究学报
出版日期2001-10-25
期号5页码:520-524
关键词单壁纳米碳管束 气相生长 生长机理
中文摘要采用流动催化热解碳氢化合物方法制备出具有一定取向的单壁纳米碳管束.研究了单壁纳十碳管束的生长过程,发现单壁纳米碳管的生长过程是在气流飘浮单个催化剂颗粒中完成,这与热解碳氢化合物制备定向的多壁纳米碳管在基体催化剂上生长过程有所不同.根据单壁纳米碳管生长过程,推测出单壁纳米碳管束生长速度的数量级为10~(-5)m/s.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26795]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明. 气相沉积生长单壁纳米碳管束[J]. 材料研究学报,2001(5):520-524.
APA 李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明.(2001).气相沉积生长单壁纳米碳管束.材料研究学报(5),520-524.
MLA 李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明."气相沉积生长单壁纳米碳管束".材料研究学报 .5(2001):520-524.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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