单晶Si中(10)面沿[11]方向裂纹的脆韧性转变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭军,李守新,姚戈,温井龙 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 2001-10-25 |
| 期号 | 5页码:559-564 |
| 关键词 | Si单晶 脆韧性转变 裂纹 滑移面 |
| 中文摘要 | 利用改进压轮法预制出与以往不同的（１０）面［１１］方向的平直裂纹．采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子 Ｋ＿ｃ，用扫描电镜分析裂纹面断口的形貌，研究了硅单晶中的脆韧性转变（ＢＤＴ）行为 结果表明，随着加载速率从 ４μｍ／ｓ增加到 １６μｍ／ｓ，脆韧性转变温度向高温方向移动，转变区间由３５Ｋ减至狭小的８Ｋ，在这一区间内临界应力强度因子突然上升．在脆韧性转变过程中当裂纹扩展越过塑性饱和区后出现（１）和（１）面的交滑移，说明脆韧性转变与滑移系的启动有密切的关系 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26798]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭军,李守新,姚戈,温井龙. 单晶Si中(10)面沿[11]方向裂纹的脆韧性转变[J]. 材料研究学报,2001(5):559-564. |
| APA | 谭军,李守新,姚戈,温井龙.(2001).单晶Si中(10)面沿[11]方向裂纹的脆韧性转变.材料研究学报(5),559-564. |
| MLA | 谭军,李守新,姚戈,温井龙."单晶Si中(10)面沿[11]方向裂纹的脆韧性转变".材料研究学报 .5(2001):559-564. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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