超薄Ti膜介电函数的尺寸效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时 |
| 刊名 | 自然科学进展
 |
| 出版日期 | 2001-10-25 |
| 期号 | 10页码:93-98 |
| 关键词 | 超薄Ti膜 介电函数 尺寸效应 |
| 中文摘要 | 超薄Ti膜介电函数与薄膜厚度及外加电场频率的关系表明:超薄Ti膜的介电函数具有尺寸效应;超薄Ti膜介电函数实部随外加电场频率的增大而减小,对比超薄Ti膜直流电导率的实验结果,超薄薄膜形成过程中结构特征变化是导致介电函数尺寸效应的主要原因。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26800]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时. 超薄Ti膜介电函数的尺寸效应[J]. 自然科学进展,2001(10):93-98. |
| APA | 杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时.(2001).超薄Ti膜介电函数的尺寸效应.自然科学进展(10),93-98. |
| MLA | 杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时."超薄Ti膜介电函数的尺寸效应".自然科学进展 .10(2001):93-98. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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