疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2001-05-28 |
| 期号 | 5页码:507-511 |
| 关键词 | 疲劳Cu单晶 驻留滑移带的演化 内应力场 位错结构模拟 |
| 中文摘要 | 利用扫描电镜电子通道衬度（ＳＥＭ－ＥＣＣ）技术，对单滑移取向疲劳Ｃｕ单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带（ＰＳＢｓ）位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算，给出了ＰＳＢｓ演化过程中典型位错结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到ＰＳＢｓ位错结构的演化过程中，内应力的分布是不均匀的，位错密集区域（基体脉络和ＰＳＢｓ墙中）比位错贫乏区域（通道中）平均内应力分布相对集中，ＰＳＢｓ夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱，ＰＳＢｓ与基体边界处存在很大的应力差．由观察和计算结果对ＰＳＢｓ演化给出了一个新的可能的演化机制． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26966]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟. 疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场[J]. 金属学报,2001(5):507-511. |
| APA | 杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟.(2001).疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场.金属学报(5),507-511. |
| MLA | 杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟."疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场".金属学报 .5(2001):507-511. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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