中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究

文献类型:期刊论文

作者裴志亮,孙超,关德慧,谭明晖,肖金泉,黄容芳,闻立时
刊名自然科学进展
出版日期2001-04-25
期号4页码:58-63
关键词ZnO:Al薄膜 掺杂光学性能 散射机制
中文摘要用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al_2O_3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(~5×10~(-4)Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率>80%;在近中红外光区,其反射率>60%.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26999]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
裴志亮,孙超,关德慧,谭明晖,肖金泉,黄容芳,闻立时. ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究[J]. 自然科学进展,2001(4):58-63.
APA 裴志亮,孙超,关德慧,谭明晖,肖金泉,黄容芳,闻立时.(2001).ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究.自然科学进展(4),58-63.
MLA 裴志亮,孙超,关德慧,谭明晖,肖金泉,黄容芳,闻立时."ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究".自然科学进展 .4(2001):58-63.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。