高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2000-12-18 |
| 期号 | 12页码:1237-1239 |
| 关键词 | 驻留滑移带 脉冲电流 热压应力 |
| 中文摘要 | 对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的 ［１２３］取向的疲劳 Ｃｕ单晶体，进行了高密度脉冲电流处理结果表明，高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态，使驻留滑移带局部消失理论计算同时表明，高密度脉冲电流处理能提高 Ｃｕ单晶疲劳寿命． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27118]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂. 高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响[J]. 金属学报,2000(12):1237-1239. |
| APA | 肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂.(2000).高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响.金属学报(12),1237-1239. |
| MLA | 肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂."高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响".金属学报 .12(2000):1237-1239. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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