ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜健,巴德纯,闻立时 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2000-11-15 |
| 期号 | 6页码:24-28 |
| 关键词 | ZnO∶Al ZAO 电阻率 霍尔迁移率 载流子浓度 |
| 中文摘要 | :Zn O∶ Al是一种 N型半导体材料 ,具有透明氧化导电薄膜优良的光电特性 ,本文着重地介绍了直流和射频磁控反应溅射下 ,各种工艺参数对 Zn O∶ Al薄膜电阻率的影响 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27136]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜健,巴德纯,闻立时. ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响[J]. 真空,2000(6):24-28. |
| APA | 姜健,巴德纯,闻立时.(2000).ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响.真空(6),24-28. |
| MLA | 姜健,巴德纯,闻立时."ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响".真空 .6(2000):24-28. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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