球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2000-07-18 |
| 期号 | 7页码:684-688 |
| 关键词 | 球磨 高分辨电镜 扩散 非晶晶化 局域自蔓延 |
| 中文摘要 | 在室温条件下，球磨Ｓｉ，Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ．采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程．高分辨像表明，在球磨过程中首先形成非晶 Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶 Ｓｉ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶 Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ），为合成 ＳｉＣ提供了适宜条件 ＳｉＣ的合成主要是通过 Ｃ原子向 ａ－Ｓｉ及 ｃ－Ｓｉ的扩散对于前者，形成非晶 ａ－Ｓｉ（Ｃ），然后机械力诱使非晶 ａ－Ｓｉ（Ｃ）晶化；对于后者， Ｃ原子直接取代 Ｓｉ原子形成 ＳｉＣ，具有取向关系（１１１）ＳｉＣ ／／（１１１）Ｓｉ．在一些区域内，还发生局域自蔓延反应，形成稍大尺寸的 ＳｉＣ晶粒 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27225]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强. 球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察[J]. 金属学报,2000(7):684-688. |
| APA | 杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强.(2000).球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察.金属学报(7),684-688. |
| MLA | 杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强."球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察".金属学报 .7(2000):684-688. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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