压痕诱导单晶GaAs非晶相变
文献类型:期刊论文
作者 | 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波 |
刊名 | 金属学报
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出版日期 | 2000-04-18 |
期号 | 4页码:337-340 |
关键词 | 压痕 GaAs单晶 非晶转变 |
中文摘要 | 利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶 Vickers压痕诱发的形变行为结果表明,这种材料在 Vickers硬度计载荷的作用下产生许多李晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发 GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段. |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27285] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波. 压痕诱导单晶GaAs非晶相变[J]. 金属学报,2000(4):337-340. |
APA | 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波.(2000).压痕诱导单晶GaAs非晶相变.金属学报(4),337-340. |
MLA | 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波."压痕诱导单晶GaAs非晶相变".金属学报 .4(2000):337-340. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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