热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘文川,邓景屹 |
| 刊名 | 材料导报
 |
| 出版日期 | 2000-04-15 |
| 期号 | 4页码:59-60 |
| 关键词 | CVI HCVI C/C材料 热结构复合材料 |
| 中文摘要 | 介绍了化学气相渗C/C材料在国内外的发展状况,指出落后的工艺技术阻碍了我国C/C产业的发展。金属所发明的化学气相渗新技术——HCVI能低成本快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料。该方法是在热梯度法基础上,利用电磁耦合原理使反应气体中间产物在交变电磁场作用下更加活泼、碰撞几率增多,从而增加了沉积速率。试验证明采用这种新工艺制备C/C材料沉积速率提高了30～50倍,该方法特别适合制备碳和陶瓷基复合材料。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27290]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文川,邓景屹. 热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料)[J]. 材料导报,2000(4):59-60. |
| APA | 刘文川,邓景屹.(2000).热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料).材料导报(4),59-60. |
| MLA | 刘文川,邓景屹."热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料)".材料导报 .4(2000):59-60. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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