In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000-04-08 |
| 期号 | 4页码:394-399 |
| 关键词 | 导电薄膜 In_2O_3∶Sn ZnO∶Al 结构 导电机制 |
| 中文摘要 | 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 的替换和氧缺位两者共同提供 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27293]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报,2000(4):394-399. |
| APA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(2000).In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制.半导体学报(4),394-399. |
| MLA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时."In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制".半导体学报 .4(2000):394-399. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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