ITO薄膜的光电子能谱分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时 |
| 刊名 | 无机材料学报
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| 出版日期 | 2000-02-20 |
| 期号 | 1页码:188-192 |
| 关键词 | 化学状态 光电子能谱 Gaussian拟合 |
| 中文摘要 | 运用ＸＰＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况．研究表明，低温直流磁控反应溅射ＩＴＯ薄膜退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以两种化合状态ＯＩ和ＯＩＩ存在，其结合能值分别为５２９．９０±０．３０ｅＶ和５３１．４０±０．２０ｅＶ，分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比ＲｏＩ／ｏＩＩ从薄膜表面到体内逐渐增大．退火后薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ小于未退火薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ;经Ａｒ＋刻蚀２０ｍｉｎ后，退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ大于未退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ．这些结果表明，ＩＴＯ薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27326]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时. ITO薄膜的光电子能谱分析[J]. 无机材料学报,2000(1):188-192. |
| APA | 陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(2000).ITO薄膜的光电子能谱分析.无机材料学报(1),188-192. |
| MLA | 陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时."ITO薄膜的光电子能谱分析".无机材料学报 .1(2000):188-192. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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