透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2000-01-18 |
| 期号 | 1页码:72-76 |
| 关键词 | ZnO:Al薄膜 电阻空间分布 光电性能 |
| 中文摘要 | 用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ（简称ＺＡＯ）薄膜，研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌、并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析，同时也讨论了薄膜的光学电学性能 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27339]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时. 透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究[J]. 金属学报,2000(1):72-76. |
| APA | 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时.(2000).透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究.金属学报(1),72-76. |
| MLA | 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时."透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究".金属学报 .1(2000):72-76. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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