中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
热门
循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征

文献类型:期刊论文

作者胡运明,王中光
刊名自然科学进展
出版日期1999-11-15
期号11页码:87-91
关键词铜双晶体:6123 位错结构:5785 循环变形:5065 晶界:1343 扫描电子显微镜:634 梯状结构:615 结构特征:598 驻留滑移带:393 对称双晶:369 国家重点实验室:365
中文摘要用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27377]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡运明,王中光. 循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征[J]. 自然科学进展,1999(11):87-91.
APA 胡运明,王中光.(1999).循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征.自然科学进展(11),87-91.
MLA 胡运明,王中光."循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征".自然科学进展 .11(1999):87-91.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。