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循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征
文献类型:期刊论文
作者 | 胡运明,王中光 |
刊名 | 自然科学进展
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出版日期 | 1999-11-15 |
期号 | 11页码:87-91 |
关键词 | 铜双晶体:6123 位错结构:5785 循环变形:5065 晶界:1343 扫描电子显微镜:634 梯状结构:615 结构特征:598 驻留滑移带:393 对称双晶:369 国家重点实验室:365 |
中文摘要 | 用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27377] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡运明,王中光. 循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征[J]. 自然科学进展,1999(11):87-91. |
APA | 胡运明,王中光.(1999).循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征.自然科学进展(11),87-91. |
MLA | 胡运明,王中光."循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征".自然科学进展 .11(1999):87-91. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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