In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究
文献类型:期刊论文
作者 | 陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时 |
刊名 | 金属学报
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出版日期 | 1999-09-18 |
期号 | 9页码:934-938 |
关键词 | In_2O_3:Sn(ITO)薄膜 红外反射率 电磁本构特性 线性拟合 禁戒跃迁 |
中文摘要 | 对掺锡三氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜光学特性进行了研究结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大,表现出类金属性质,ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450-800nm区间的色散很弱,基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明,薄膜在K=0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27404] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时. In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究[J]. 金属学报,1999(9):934-938. |
APA | 陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时.(1999).In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究.金属学报(9),934-938. |
MLA | 陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时."In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究".金属学报 .9(1999):934-938. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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