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In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究

文献类型:期刊论文

作者陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时
刊名金属学报
出版日期1999-09-18
期号9页码:934-938
关键词In_2O_3:Sn(ITO)薄膜 红外反射率 电磁本构特性 线性拟合 禁戒跃迁
中文摘要对掺锡三氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜光学特性进行了研究结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大,表现出类金属性质,ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450-800nm区间的色散很弱,基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明,薄膜在K=0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27404]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时. In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究[J]. 金属学报,1999(9):934-938.
APA 陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时.(1999).In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究.金属学报(9),934-938.
MLA 陈猛,白雪冬,裴志亮,孙超,宫骏,黄荣芳,闻立时."In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究".金属学报 .9(1999):934-938.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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