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软基片上ITO薄膜的光电特性

文献类型:期刊论文

作者陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时
刊名功能材料与器件学报
出版日期1999-03-30
期号1页码:61-65
关键词ITO 聚脂膜 电阻率 透射率 反应窗口
中文摘要利用直流反应磁控溅射技术,室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜.研究了沉积速率,靶基距,氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响.所得薄膜的最低电阻率为4.23×10-4Ω?cm,可见光区平均透射率大于78%.对应于低电阻率(~10-4Ω?cm)和高透射率(~78$)的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27516]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. 软基片上ITO薄膜的光电特性[J]. 功能材料与器件学报,1999(1):61-65.
APA 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(1999).软基片上ITO薄膜的光电特性.功能材料与器件学报(1),61-65.
MLA 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时."软基片上ITO薄膜的光电特性".功能材料与器件学报 .1(1999):61-65.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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