软基片上ITO薄膜的光电特性
文献类型:期刊论文
作者 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时 |
刊名 | 功能材料与器件学报
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出版日期 | 1999-03-30 |
期号 | 1页码:61-65 |
关键词 | ITO 聚脂膜 电阻率 透射率 反应窗口 |
中文摘要 | 利用直流反应磁控溅射技术,室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜.研究了沉积速率,靶基距,氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响.所得薄膜的最低电阻率为4.23×10-4Ω?cm,可见光区平均透射率大于78%.对应于低电阻率(~10-4Ω?cm)和高透射率(~78$)的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大. |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27516] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. 软基片上ITO薄膜的光电特性[J]. 功能材料与器件学报,1999(1):61-65. |
APA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(1999).软基片上ITO薄膜的光电特性.功能材料与器件学报(1),61-65. |
MLA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时."软基片上ITO薄膜的光电特性".功能材料与器件学报 .1(1999):61-65. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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