压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴亚桥,徐永波 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1999-03-18 |
| 期号 | 3页码:289-291 |
| 关键词 | 非晶化相变 压痕 空间分布 单晶硅 |
| 中文摘要 | 利用透射电子显微术（ＴＥＭ）观察了单晶 Ｓｉ维氏压痕区的结构转变平视和截面像相结合给出了压痕诱导 Ｓｉ非晶化的轮廓图．其区域为与医头相似的倒四棱锥金字塔形，但其棱边夹角小于相对应的压头相对棱夹角残留的压痕深度很浅，直接证明了Ｓｉ的压痕区具有很大的弹性回复量． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27524]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴亚桥,徐永波. 压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构[J]. 金属学报,1999(3):289-291. |
| APA | 吴亚桥,徐永波.(1999).压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构.金属学报(3),289-291. |
| MLA | 吴亚桥,徐永波."压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构".金属学报 .3(1999):289-291. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。