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界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响

文献类型:期刊论文

作者郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵
刊名材料研究学报
出版日期1999-02-25
期号1页码:76-80
关键词SiC_f/Al界面 场发射扫描电镜 声发射
中文摘要运用高分辨场发射扫描电镜(FE-SEM)和声发射(AE)测试技术研究了SiC纤维铝基复合材料(SiCf/Al)的不同界面组成和界面产物及其对复合材料性能和AE行为的影响,发现富碳处理的SiCf/Al生成Al4C3脆性界面,在拉伸过程中界面脆断产生许多中幅AE信号,而富SiO2处理的SiCf/Al生成韧度较高的富氧产物,界面强度较高,在形变过程中不易发生界面断裂,不产生中幅AE信号.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27536]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵. 界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响[J]. 材料研究学报,1999(1):76-80.
APA 郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵.(1999).界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响.材料研究学报(1),76-80.
MLA 郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵."界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响".材料研究学报 .1(1999):76-80.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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