可溶性聚吡咯复合导电薄膜的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王长松,周本濂 |
| 刊名 | 高等学校化学学报
 |
| 出版日期 | 1999-02-15 |
| 期号 | 2页码:154-156 |
| 关键词 | 聚吡咯 现场化学氧化聚合 掺杂 |
| 中文摘要 | 聚吡咯具有容易合成、导电率较高、稳定性较好等优点，已经对其进行了广泛而深入的研究，并且逐渐向工业应用方向发展［１］．但其不溶不熔性使得难于对其进行分子结构表征和加工．目前主要采用两种方法来改善其不熔不溶性，一是合成３－位上带有较长链取代基的吡咯衍生物... |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27543]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王长松,周本濂. 可溶性聚吡咯复合导电薄膜的研制[J]. 高等学校化学学报,1999(2):154-156. |
| APA | 王长松,周本濂.(1999).可溶性聚吡咯复合导电薄膜的研制.高等学校化学学报(2),154-156. |
| MLA | 王长松,周本濂."可溶性聚吡咯复合导电薄膜的研制".高等学校化学学报 .2(1999):154-156. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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