球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨 |
| 刊名 | 中国科学E辑:技术科学
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| 出版日期 | 1999-02-15 |
| 期号 | 1页码:21-25 |
| 关键词 | 碳化硅(SiC) 多型转变 球磨 高分辨电子显微术(HREM) |
| 中文摘要 | X射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α SiC向β SiC的转变 .高分辨电子显微术证实α SiC中的 6H SiC向β( 3C) SiC的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的 .其基本过程是不全位错的运动使 6H的一个 ( 3,3)堆垛向 ( 4,2 ) ,( 5 ,1 )至 ( 6 ,0 )堆垛序过渡 ,形成 6层 3C SiC的{1 1 1 }堆垛 ,相继进行这一过程即可完成 6H SiC向 3C SiC的转变 . |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27545]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨. 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变[J]. 中国科学E辑:技术科学,1999(1):21-25. |
| APA | 杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨.(1999).球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变.中国科学E辑:技术科学(1),21-25. |
| MLA | 杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨."球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变".中国科学E辑:技术科学 .1(1999):21-25. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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