InSb/GaAs半导体界面结构研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍青,孟祥敏,兰建章,叶恒强 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1998-12-25 |
| 期号 | 6页码:41-47 |
| 关键词 | 高分辨原子像 半导体界面 原子结构 晶格畸变 透射电子显微术 |
| 中文摘要 | 本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量化分析得到了界面位错区附近的晶格点阵畸变位移分布。基于该实验结果文中提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型。该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上外延生长过程中的物理现象。计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验观察结果的一致性符合验证了所建立的界面模型的正确性 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27573]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青,孟祥敏,兰建章,叶恒强. InSb/GaAs半导体界面结构研究[J]. 电子显微学报,1998(6):41-47. |
| APA | 王绍青,孟祥敏,兰建章,叶恒强.(1998).InSb/GaAs半导体界面结构研究.电子显微学报(6),41-47. |
| MLA | 王绍青,孟祥敏,兰建章,叶恒强."InSb/GaAs半导体界面结构研究".电子显微学报 .6(1998):41-47. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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