分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍青,刘全朴,叶恒强 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1998-11-12 |
| 期号 | 11页码:99-102 |
| 关键词 | 外延生长:6883 GaN薄膜:3266 分子束外延:3157 原子像:2762 晶体缺陷:2559 高分辨率电子显微镜:2280 位错结构:2195 缺陷结构:1988 刃型:1409 电子显微术:1354 |
| 中文摘要 | 利用高分辨电子显微术，对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长六角ＧａＮ晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究．实验中发现了ＧａＮ薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构．此晶体缺陷位于一大块ＧａＮ晶粒内部，其外观类似于一段（１１２０）晶界．它由一条（１１２０）高能孤立晶界段及其两端的两个１／６［１１２０］不完全刃型位错组成．从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27594]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青,刘全朴,叶恒强. 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构[J]. 物理学报,1998(11):99-102. |
| APA | 王绍青,刘全朴,叶恒强.(1998).分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构.物理学报(11),99-102. |
| MLA | 王绍青,刘全朴,叶恒强."分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构".物理学报 .11(1998):99-102. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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