复合材料中β-SiC内部裂纹的TEM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孟祥敏,Ｃ．Ｓ．ＬＥＥ,ＲｏｂｅｒｔＫ．Ｙ．ＬＩ,吕毓雄,戴吉岩,李斗星 |
| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 1998-10-25 |
| 期号 | 5页码:25-26 |
| 关键词 | 复合材料:5895 内部裂纹:4794 β-SiC:4033 TEM研究:2994 脆性材料:2691 微裂纹:2009 半导体超晶格:1278 裂纹尖端:1271 滑移面:1154 无位错区:1075 |
| 中文摘要 | 材料的断裂，特别是实用结构材料的断裂，人们极为关注，并进行了大量的理论和实验研究，但就其机制来说，至今仍未能得到很好认识，主要原因在于对裂尖的结构及受载条件下的形变行为缺乏深入的了解。近年来，Ｏｈｒ［１］等人利用ＴＥＭ中的原位观察装置，研究了一些金属... |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27597]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟祥敏,Ｃ．Ｓ．ＬＥＥ,ＲｏｂｅｒｔＫ．Ｙ．ＬＩ,吕毓雄,戴吉岩,李斗星. 复合材料中β-SiC内部裂纹的TEM研究[J]. 电子显微学报,1998(5):25-26. |
| APA | 孟祥敏,Ｃ．Ｓ．ＬＥＥ,ＲｏｂｅｒｔＫ．Ｙ．ＬＩ,吕毓雄,戴吉岩,李斗星.(1998).复合材料中β-SiC内部裂纹的TEM研究.电子显微学报(5),25-26. |
| MLA | 孟祥敏,Ｃ．Ｓ．ＬＥＥ,ＲｏｂｅｒｔＫ．Ｙ．ＬＩ,吕毓雄,戴吉岩,李斗星."复合材料中β-SiC内部裂纹的TEM研究".电子显微学报 .5(1998):25-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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