压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴亚桥,徐永波 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1998-10-25 |
| 期号 | 5页码:81-82 |
| 关键词 | 单晶硅:5596 透射电镜观察:5055 非晶化:4569 选区电子衍射:2282 相变:2118 维氏压痕:2067 非晶硅:1913 显微压痕:1383 形貌像:1267 非晶区:1042 |
| 中文摘要 | 晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生... |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27599]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴亚桥,徐永波. 压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察[J]. 电子显微学报,1998(5):81-82. |
| APA | 吴亚桥,徐永波.(1998).压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察.电子显微学报(5),81-82. |
| MLA | 吴亚桥,徐永波."压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察".电子显微学报 .5(1998):81-82. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。