六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍青,刘全朴,王元明 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1998-10-25 |
| 期号 | 5页码:85-86 |
| 关键词 | 晶体缺陷:6491 GaN薄膜:5257 分子束外延:2966 原子像:2587 高分辨:2548 位错结构:1896 电子显微镜:1364 刃型:1099 外延生长:895 缺陷结构:872 |
| 中文摘要 | 我们利用电子显微镜的高阶弱束暗场成像技术和高分辨电子显微术对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长方法制备的六角ＧａＮ薄膜中的晶界、畴界、线型位错进行了详细系统的研究。研究中我们确定了ＧａＮ薄膜中存在的大量线型位错基本都是Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为ｂ＝１／３〈１１... |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27600]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青,刘全朴,王元明. 六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究[J]. 电子显微学报,1998(5):85-86. |
| APA | 王绍青,刘全朴,王元明.(1998).六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究.电子显微学报(5),85-86. |
| MLA | 王绍青,刘全朴,王元明."六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究".电子显微学报 .5(1998):85-86. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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