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Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构

文献类型:期刊论文

作者胡运明,王中光
刊名自然科学进展
出版日期1998-10-15
期号5页码:84-88
关键词铜双晶 迷宫位错结构 滑移系
中文摘要用透射电子显微镜(TEM)研究了受循环应变载荷作用的Cu双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的(001)和(210)位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Burgers矢量的位错密切相关。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27615]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡运明,王中光. Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构[J]. 自然科学进展,1998(5):84-88.
APA 胡运明,王中光.(1998).Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构.自然科学进展(5),84-88.
MLA 胡运明,王中光."Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构".自然科学进展 .5(1998):84-88.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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