扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张哲峰,王中光,苏会和 |
| 刊名 | 应用基础与工程科学学报
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| 出版日期 | 1998-09-30 |
| 期号 | 3页码:57-61 |
| 关键词 | 铜双晶体 扫描电镜电子通道衬度技术 位错组态 |
| 中文摘要 | 通过对垂直晶界［５９１３］⊥［５７９］铜双晶体进行循环变形，借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态，结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同，两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同，驻留滑移带只能在组元晶体Ｇ１中形成，驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界．讨论了组元晶体取向对双晶体的表面滑移形貌及饱和位错组态的影响以及驻留滑移带与晶界的交互作用． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27623]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张哲峰,王中光,苏会和. 扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态[J]. 应用基础与工程科学学报,1998(3):57-61. |
| APA | 张哲峰,王中光,苏会和.(1998).扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态.应用基础与工程科学学报(3),57-61. |
| MLA | 张哲峰,王中光,苏会和."扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态".应用基础与工程科学学报 .3(1998):57-61. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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