高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星 |
| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 1998-04-25 |
| 期号 | 2页码:80-85 |
| 关键词 | 高分辨电子显微像 应变层超晶格 定量分析 点阵畸变 元素分布 |
| 中文摘要 | 使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27698]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星. 高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析[J]. 电子显微学报,1998(2):80-85. |
| APA | 兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星.(1998).高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析.电子显微学报(2),80-85. |
| MLA | 兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星."高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析".电子显微学报 .2(1998):80-85. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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