C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂 |
| 刊名 | 炭素技术
 |
| 出版日期 | 1998-04-20 |
| 期号 | 2页码:6-9 |
| 关键词 | C－SiC－B_4C复合材料 非等温氧化 |
| 中文摘要 | 研究B4C／SiC值不同的三种C－SiC－B4C复合材料在非等温氧化过程中的失重／增重行为。发现B4C／SiC值不同．复合材料的氧化行为有较大差异．当B4C／SiC值为0．2时，复合材料在773～1573K的实验温度区间内表现为净失重；当B4C／SiC值为0．4和0．6时，则在不同的温度区间出现不同程度的增重现象，B4C／SiC值越大，增重越明显；高温（1473K以上）氧化时，B4C／SiC值越大则氧化速率越大。SEM观察到复合材料氧化后．表面生成完整或部分完整的氧化物玻璃保护层，其完整程度大致与复合材料的氧化失重结果相一致。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27702]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂. C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化[J]. 炭素技术,1998(2):6-9. |
| APA | 张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂.(1998).C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化.炭素技术(2),6-9. |
| MLA | 张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂."C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化".炭素技术 .2(1998):6-9. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。