电镀纳米镍缺陷的正电子研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴秋允，初业隆，熊良铖，孙秀魁，胡壮麒 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1998-04-10 |
| 期号 | 4页码:213-216 |
| 关键词 | 正电子湮没 电镀纳米镍 微观缺陷 |
| 中文摘要 | 用正电子寿命谱研究了电镀纳米镍（～２０ｍｍ）中的微观缺陷，分析了缺陷中的氢对正电子寿命的影响。实验结果表明：界面存在单空位大小的自由体积、６－１０个空位大小的自由体积和微孔洞三类缺陷；纳米镍在５００℃真空退火２ｈ后，中间寿命和最长寿命的强度不受影响，表明中间寿命和最长寿命所对应的缺陷具有很好的热稳定性。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27719]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴秋允，初业隆，熊良铖，孙秀魁，胡壮麒. 电镀纳米镍缺陷的正电子研究[J]. 核技术,1998(4):213-216. |
| APA | 吴秋允，初业隆，熊良铖，孙秀魁，胡壮麒.(1998).电镀纳米镍缺陷的正电子研究.核技术(4),213-216. |
| MLA | 吴秋允，初业隆，熊良铖，孙秀魁，胡壮麒."电镀纳米镍缺陷的正电子研究".核技术 .4(1998):213-216. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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