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纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结

文献类型:期刊论文

作者李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟
刊名材料研究学报
出版日期1997-10-25
期号5页码:473-478
关键词纳米陶瓷 Si_3N_4 非晶 超高压 烧结
中文摘要用六面顶超高压在1.0-5.0GPa,25~1500℃条件下烧结激光法制备的纳米非晶Si3N4粉,有“冷烧结”特代表现为:在5GPa,室温下压制的块体密度达理论值的93%,这是高压下纳米粒子产生流变的结果当烧结温度较低(800~950℃)时,高压烧结体为棕色透明的致密(98%)纳米非晶块体;烧结温度较高(1300~1500℃)时,形成纯白色致密纳米晶Si3N4块体,硬度为15.53~1605GPa研究表明,超高压烧结纳米陶瓷粉可显著降低烧结温度,控制晶粒生长,是获得致密纳米材料的有效途径
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27797]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟. 纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结[J]. 材料研究学报,1997(5):473-478.
APA 李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟.(1997).纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结.材料研究学报(5),473-478.
MLA 李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟."纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结".材料研究学报 .5(1997):473-478.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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