纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻
文献类型：期刊论文
| 作者 | 秦荣山，周本濂 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1996-10-18 |
| 期号 | 10页码:1093-1096 |
| 关键词 | 纳米晶 晶格畸变 Landauer电阻 |
| 中文摘要 | 利用Ｌａｎｄａｕｅｒ理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献．推导出Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻率与晶格膨胀率的关系．数值计算表明，纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27964]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦荣山，周本濂. 纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻[J]. 金属学报,1996(10):1093-1096. |
| APA | 秦荣山，周本濂.(1996).纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻.金属学报(10),1093-1096. |
| MLA | 秦荣山，周本濂."纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻".金属学报 .10(1996):1093-1096. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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